1N60L-TN3-R

更新时间： 2024-02-18 17:13:49

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	144K
描述
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

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1N60L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	28 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES

1N60L-TN3-R 数据手册

1N60

Power MOSFET

ꢀ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Cont.)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

Switching Characteristics

Turn-On Delay Time

t_{D (ON)}

t_R

t_{D (OFF)}

t_F

6.0

Rise Time

V_DD=300V, I_D=1.2A, R_G=50Ω

(Note 1,2)

Turn-Off Delay Time

Fall Time

5.0

1.0

2.6

Total Gate Charge

Q_G

V_DS=480V, V_GS=10V, I_D=1.2A

Gate-Source Charge

Q_GS

Q_GD

(Note 1,2)

Gate-Drain Charge

Drain-Source Diode Characteristics

Drain-Source Diode Forward Voltage

Continuous Drain-Source Current

Pulsed Drain-Source Current

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

V_SD

I_SD

V_GS=0V, I_SD= 1.2A,

1.4

1.2

4.8

I_SM

t_RR

V_GS=0V, I_SD= 1.2A

160

0.3

µC

di/dt = 100A/µs (Note1)

Q_RR

Note: 1. Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle≤2%

2. Essentially Independent of Operating Temperature

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 8

QW-R502-052,D

www.unisonic.com.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N60L-TN3-T	UTC	1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET	获取价格
1N60L-TND-R	UTC	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
1N60L-X-AA3-R	UTC	1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET	获取价格
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1N60L-X-T92-K	UTC	1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET	获取价格