是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.39 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.05 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 45 V |
最大反向恢复时间: | 0.001 µs | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N60P-BP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 45V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PA | |
1N60PG-T92-B | UTC |
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1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N60PG-T92-K | UTC |
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1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N60PG-T92-R | UTC |
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1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N60PL-T92-B | UTC |
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1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N60PL-T92-K | UTC |
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1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N60PL-T92-R | UTC |
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1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N60P-TP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 45V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PA | |
1N60PW | SEMTECH |
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Schottky Barrier Diode | |
1N60PW | SUNMATE |
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Switching Diodes Switch detector |