1N60P-TP

更新时间： 2024-02-22 17:05:03

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美微科 - MCC		/
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3页	404K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.05A, 45V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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1N60P-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.58
其他特性：	GOLD BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	GERMANIUM
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-7
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.05 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N60P-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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1N60

1N60P

Micro Commercial Components

Features

•

High Reliability

Low Reverse Current and Low Forward Voltage

Marking : Cathode band and type number

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

Schottky Barrier

Rectifier

•

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

DO-35

•

Storage &Operating JunctionTemperature: -65℃ to +125℃

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Parameter

Repetitive

Peak Reverse

Voltage

Average

Forward

Symbol

Type

1N60

Value

40V

Test Condition

V_RRM

1N60P

1N60

45V

T_a= 25℃

30mA

50mA

I_F(AV)

1N60P

Current

Cathode

Mark

1N60

150mA t_p≦1s

Peak Forward

Surge Current

I_FSM

1N60P 500mA t_p≦1s

On PC board

Junction

Ambient

50mm×50mm

R_thJA

250K/W

×1.6mm

Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

MIN

---

25.40

DIM

MAX

.166

.079

.020

---

MAX

4.2

2.00

.52

NOTE

1.000

---

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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