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1N60PWS

更新时间： 2024-01-25 22:04:29

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商升特 - SEMTECH		肖特基二极管
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3页	204K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1N60PWS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.58
其他特性：	GOLD BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	GERMANIUM
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-7
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.05 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N60PWS 数据手册

1N60PWS

SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

PINNING

• High reliability

DESCRIPTION

Cathode

• Low forward voltage and reverse current

Anode

Applications

• For electronic calculator, etc.

• Low current rectification and high speed switching

Top View

Marking Code: "MA"

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Peak Forward Current

I_O

I_FM

150

Surge Forward Current

Junction Temperature

I_surge

T_j

500

125

Storage Temperature Range

T_S

- 55 to + 125

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

I_F

Min.

Max.

Unit

Forward Current

at V_F= 1 V

µA

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

Reverse Voltage

at I_R= 100 µA

V_R

C_J

Junction Capacitance

at f = 1 MHz, V = -1 V

Rectification efficiency

at Vi = 2 Vrms, R = 5 KΩ, C = 20 pF, f = 40 MHz

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 01/09/2006

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