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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.57 | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 4 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 21 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.8 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 85 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 80 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N60L-TM3-T | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60L-TMS2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60L-TMS4-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60L-TMS-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60L-TND-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60L-X-AA3-R | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60L-X-T60-K | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60L-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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