1N5406T/R

更新时间： 2024-11-06 12:58:31

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威世 - VISHAY		/
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4页	74K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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1N5406T/R 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5406T/R 数据手册

1N5400 thru 1N5408

Vishay General Semiconductor

General Purpose Plastic Rectifier

FEATURES

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

DO-201AD

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters and freewheeling diodes application.

PRIMARY CHARACTERISTICS

Note

•

These devices are not AEC-Q101 qualified.

I_F(AV)

3.0 A

V_RRM

I_FSM

I_R

50 V to 1000 V

200 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-201AD, molded epoxy body

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

5.0 μA

V_F

1.2 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

T_Jmax.

150 °C

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 UNIT

Maximum repetitive peak

reverse voltage

V_RRM

100

200

300

400

500

600

800

1000

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

140

200

210

300

280

400

350

500

420

600

560

800

700

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward

rectified current 0.5" (12.5 mm)

lead length at T_L= 105 °C

I_F(AV)

3.0

Peak forward surge current

8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

200

Maximum full load reverse

current, full cycle average

0.5" (12.5 mm) lead length

at T_L= 105 °C

I_R(AV)

500

μA

°C

Operating junction and

storage temperature range

T_J, T_STG

- 50 to + 150

Document Number: 88516

Revision: 04-Nov-09

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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与1N5406T/R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5406-T/R	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5406-T3	WTE	获取价格	3.0A SILICON RECTIFIER
1N5406-T3-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
1N5406-TB	WTE	获取价格	3.0A SILICON RECTIFIER
1N5406T-G	COMCHIP	获取价格	Rectifier Diode,
1N5406-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
1N5406-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5406TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5407	CYSTEKEC	获取价格	3.0Amp Silicon Rectifiers
1N5407	SEMIKRON	获取价格	Standard silicon rectifier diodes

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