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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 9 weeks | 风险等级： | 1.58 |
| Samacsys Description： | Vishay 1N4150TAP Switching Diode, 300mA 50V, 2-Pin DO-35 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.62 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4148,133 | NXP |
功能相似  |
1N4148; 1N4448 - High-speed diodes AXIAL 2-Pin |
|
| 1N4150-1 | MICROSEMI |
功能相似 |
200mA Low Power, Switching |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4150-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Fast Switching Diodes |
|
| 1N4150-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
|
| 1N4150TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4150-TR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Fast Switching Diodes |
|
| 1N4150-TR/D3 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| 1N4150-TR/D4 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 50V V(RRM), |
|
| 1N4150TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4150TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4150TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4150UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
MINI-MELF-SMD Silicon Diode |
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