5秒后页面跳转
1N4150TRLEADFREE PDF预览

1N4150TRLEADFREE

更新时间: 2024-11-14 20:43:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N4150TRLEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.08
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N4150TRLEADFREE 数据手册

  

与1N4150TRLEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4150TR-RECU CENTRAL

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150TR-RMCU CENTRAL

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150UR-1 MICROSEMI

获取价格

MINI-MELF-SMD Silicon Diode
1N4150UR-1 CDI-DIODE

获取价格

SWITCHING DIODE
1N4150UR-1_1 MICROSEMI

获取价格

SWITCHING DIODE
1N4150UR-1_2 MICROSEMI

获取价格

SWITCHING DIODE
1N4150VC ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150VH ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150W WTE

获取价格

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4150W VISHAY

获取价格

SMALL SIGNAL DIODES