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1N4150W

更新时间： 2024-01-07 12:22:26

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TYSEMI		二极管光电二极管瞄准线
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1页	59K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode Fast general purpose and switching.

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1N4150W 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL

1N4150W 数据手册

Product specification

1N4150W

SOD-123

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.05

1.1

-0.05

2.7

Features

Silicon Epitaxial Planar Diode

Fast general purpose and switching.

+0.1

-0.1

3.7

0.1max

This diods is also available in other case styles including:

the DO-35 case with the type designation 1N4150 and

the Mini-MELF case with the type disignation LL4150.

0.50

0.35

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Paramater

Peak Reverse voktage

Symbol

V^RM

Value

Unit

Maximum Average Rectified Current

Maximum Power Dissipation at Tamb = 25

Maximum Forward Voltage Drop at I^F= 200mA

Maximum Reverse Current at V^R= 50 V

Maximum Reverse Recovery Time at I^F= 10 to 200 mA, to 0.1 I^F

Maximum Junction Temperature

200

410⁽¹⁾

1.0

P^tot

V^F

I^R

100

T^rr

4.0

150

Storage Temperature Range

-65 to+150

NOTES::

(1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

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sales@twtysemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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