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1N4150W

更新时间： 2024-09-17 20:02:31

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	137K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

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1N4150W 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.09	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.41 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N4150W 数据手册

SENSITRON

1N4150W / 1N4151W

SEMICONDUCTOR

Data Sheet 2772, Rev. -

Features

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

ꢀ

High Conductance

Fast Switching Speed

SOD-123

Surface Mount Package Ideally Suited for

Automatic Insertion

For General Purpose Switching Application

Plastic Material – UL Recognition Flammability

Classification 94V-O

Dim Min Max Min Max

3.6

2.5

1.4

0.5

—

3.9 0.14 0.154

2.8 0.098 0.110

1.8 0.055 0.070

0.7 0.020 0.028

ꢀ

0.2

—

0.008

—

0.4

0.016

0.95 1.35 0.037 0.053

0.12 0.005

In mm In inch

Mechanical Data

ꢀ

—

Case: SOD-123, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.01 grams (approx.)

Marking: 1N4150W A4

ꢀ

1N4151W

Maximum Ratings ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

1N4150W

1N4151W

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

V^RM

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^FM

Forward Continuous Current (Note 1)

Average Rectified Output Current (Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

400

200

300

150

I^O

@ t = 1.0µs

@ t = 1.0s

4.0

1.0

2.0

0.5

I^FSM

Power Dissipation (Note 1)

P^d

410

500

K/W

°C

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

RθJA

300

T^j, T^STG

-65 to +150

Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Forward Voltage Drop (Note 4)

Peak Reverse Leakage Current

Symbol

1N4150W

1N4151W

Unit

V^FM

I^RM

C^j

1.0

@ V^R= 50V

100

2.5

4.0

2.0

Typical Junction Capacitance (V^R= 0V DC, f = 1.0MHz)

Reverse Recovery Time (Note 2, 3)

t^rr

Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. 1N4150W: Measured with I^F= I^R= 200mA, I^RR= 0.1 x I^R, R^L= 100Ω.

3. 1N4151W: Measured with I^F= I^R= 10mA, I^RR= 1.0 x I^R, R^L= 100Ω.

4. 1N4150W: Measured with I^F= 200mA. 1N4151W: Measured with I^F= 10mA

• 221 West Industry Court ! Deer Park, NY 11729-4681 ! (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

12 3

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与1N4150W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4150W/D4	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM),
1N4150W_06	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4150W_09	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
1N4150W-G	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diode
1N4150W-G3-08	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, GREEN PACKAGE-2
1N4150W-HE3-08	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
1N4150W-HE3-18	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
1N4150W-T1	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
1N4150W-T1	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4150W-T1-LF	WTE	获取价格	暂无描述

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