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1N4150-TR/D4

更新时间： 2024-01-10 20:20:30

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威世 - VISHAY		/
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4页	98K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 50V V(RRM),

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技术参数
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1N4150-TR/D4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.62 V	JESD-609代码：	e2
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.15 A
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)	Base Number Matches：	1

1N4150-TR/D4 数据手册

1N4150

Vishay Semiconductors

VISHAY

Fast Switching Diode

Features

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Low forward voltage drop

• High forward current capability

Applications

High speed switch and general purpose use in com-

puter and industrial applications

94 9367

Mechanical Data

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 300 mg

Packaging Codes/Options:

D3/10 K per 13" reel (8 mm tape), 30 K/box

D4/3 K per 7" reel (8 mm tape), 30 K/box

Parts Table

Part

Type differentiation

Single Diodes

Ordering code

Remarks

Package

1N4150

1N4150-TAP / 1N4150-TR Ammopack / Tape and

Reel

DO35

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Sub type

Symbol

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_R

Reverse voltage

Peak forward surge current

Average peak forward current

Forward current

t_p= 1 µs

I_FSM

I_FRM

I_F

600

300

150

440

500

V_R= 0

Average forward current

Power dissipation

I_FAv

P_V

l = 4 mm, T_L= 45 °C

l = 4 mm, T_L≤ 25 °C

P_V

Maximum Thermal Resistance

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Junction ambient

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

350

Unit

K/W

l = 4 mm, T_L= constant

Junction temperature

T_j

175

°C

Storage temperature range

T_stg

- 65 to + 175

Document Number 85522

Rev. 5, 21-Nov-02

www.vishay.com

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