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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | GERMANIUM |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.08 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 80 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3666-2R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3666BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N3666M2 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.07A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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| 1N3666R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3666TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7, |
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| 1N3666X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3668 | ETC |
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silicon diode |
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| 1N367 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N3670 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3670A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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