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1N3670

更新时间: 2024-11-29 22:13:35
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 132K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N3670 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-203AA
包装说明:METAL, DO-4, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.49应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.05 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:22 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:700 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N3670 数据手册

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