5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.65 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 22 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 700 V |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3670RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 22A, 700V V(RRM), DO4-2 |
|
| 1N3670RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N3671 | DIOTEC |
获取价格 |
Silicon-Power Rectifiers |
|
| 1N3671 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3671A | VISHAY |
获取价格 |
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A |
|
| 1N3671A | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3671A | INFINEON |
获取价格 |
12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| 1N3671A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 800V 22A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N3671AR | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3671AR | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 800V 22A 2-Pin DO-4 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
