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1N3671RA

更新时间: 2024-01-21 17:10:17
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
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2页 109K
描述
Military Silicon Power Rectifier

1N3671RA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:DO-4, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.12Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):2.3 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N3671RA 数据手册

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