5秒后页面跳转
1N3672A PDF预览

1N3672A

更新时间: 2024-01-14 11:49:46
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N3672A 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-203AA
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.25Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:22 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:900 V
最大反向恢复时间:3 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3672A 数据手册

 浏览型号1N3672A的Datasheet PDF文件第2页 

1N3672A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3672A VISHAY

功能相似

Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A

与1N3672A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3672AHR DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode
1N3672APBF INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N3672AR VISHAY

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N3672ARE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N3672E3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N3672RA VISHAY

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-5, 1 PIN
1N3672RA MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 22A, 900V V(RRM), DO4-2
1N3672RAPBF INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N3672RE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N3673 DIOTEC

获取价格

Silicon-Power Rectifiers