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1N3673RA

更新时间: 2024-02-27 06:47:45
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美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Military Silicon Power Rectifier

1N3673RA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DO-4, 1 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.35 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N3673RA 数据手册

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