5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.32 |
| 其他特性： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 7.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3676BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 7.5V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
|
| 1N3676BTR-RPCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 7.5V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, 2 PIN |
|
| 1N3677B | CENTRAL |
获取价格 |
1.0W ZENER DIODE 6.8 VOLTS TO 200 VOLTS 5% TOLERANCE |
|
| 1N3677BBK | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
|
| 1N3677BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
|
| 1N3677BTR-RPCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, 2 PIN |
|
| 1N3678B | CENTRAL |
获取价格 |
1.0W ZENER DIODE 6.8 VOLTS TO 200 VOLTS 5% TOLERANCE |
|
| 1N3678BBK | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3678BLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3678BPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
