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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.18 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 22 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 3 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4509 | MICROSEMI |
功能相似  |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N2240A | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| PBY276 | DIOTEC |
功能相似 |
Silicon-Power Rectifiers |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3671AR | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3671AR | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 800V 22A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N3671AR-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N3671E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N3671R | DIOTEC |
获取价格 |
|
|
| 1N3671RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3671RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N3672 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3672A | INFINEON |
获取价格 |
12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| 1N3672A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
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