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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-4 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 22 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 12F80 | VISHAY |
功能相似  |
Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A |
|
| 1N3671A | MICROSEMI |
功能相似 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| PBY276 | DIOTEC |
功能相似 |
Silicon-Power Rectifiers |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4509E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N4509R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N4509RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N451 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N4510 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N4510 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1KV 22A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N4510E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 P |
|
| 1N4510R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 P |
|
| 1N4511 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N4511 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1.2KV 22A 2-Pin DO-4 |
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