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PBY276 PDF预览

PBY276

更新时间： 2024-11-30 22:26:51
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 156K
描述
Silicon-Power Rectifiers

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PBY276 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-4包装说明：O-MUPM-D1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JEDEC-95代码：DO-4JESD-30 代码：O-MUPM-D1
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：12 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PBY276 数据手册

 浏览型号PBY276的Datasheet PDF文件第2页 
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673  
PBY 271 ... PBY 277  
Silicon-Power Rectifiers  
Silizium-Leistungs-Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
12 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50...1000 V  
Metal case – Metallgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-4  
5.5 g  
Recommended mounting torque  
Empfohlenes Anzugsdrehmoment  
18 ± 10% lb.in.  
2 ± 10% Nm  
Standard: Cathode to stud / am Gewinde  
Dimensions / Maße in mm  
Index R:  
Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
1N 1199 A = PBY 271  
1N 1200 A = PBY 272  
1N 1202 A = PBY 273  
1N 1204 A = PBY 274  
1N 1206 A = PBY 275  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
60  
120  
240  
480  
720  
1N 3671  
1N 3673  
= PBY 276  
= PBY 277  
1000  
1200  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 100ꢀC  
f > 15 Hz  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
IFSM  
i2t  
12 A 1)  
40 A 1)  
220 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
240 A  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
240 A2s  
1
)
Valid, if the temp. of the stud is kept to 100ꢀC – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100ꢀC gehalten wird  
1
26.03.2002  
12

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PBY276 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
12F80PBF VISHAY

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F80 VISHAY

功能相似

 Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A
1N3671A MICROSEMI

功能相似

 Military Silicon Power Rectifier

与PBY276相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBY277 DIOTEC

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 		Silicon-Power Rectifiers
PBY277R DIOTEC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM)
PBY277R00A VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Foil, 10W, 277ohm, 750V, 0.05% +/-Tol, -2.5,2.5ppm/Cel
PBY2CA-3B-01-S YSTONE

获取价格

 		FLUX LED LAMPS
PBY301 DIOTEC

获取价格

 		Silicon-Power Rectifiers
PBY301R00A VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 10W, 301ohm, 750V, 0.05% +/-Tol, -2.5,2.5ppm/Cel
PBY301R00F VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 10W, 301ohm, 750V, 1% +/-Tol, -2.5,2.5ppm/Cel
PBY301R00Q VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Foil, 10W, 301ohm, 750V, 0.02% +/-Tol, -2.5,2.5ppm/Cel
PBY302 DIOTEC

获取价格

 		Silicon-Power Rectifiers
PBY302R DIOTEC

获取价格

 		暂无描述

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