5秒后页面跳转
PBY307 PDF预览

PBY307

更新时间: 2024-11-30 22:26:51
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 162K
描述
Silicon-Power Rectifiers

PBY307 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-5包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.43
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-5JESD-30 代码:O-MUPM-D1
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

PBY307 数据手册

 浏览型号PBY307的Datasheet PDF文件第2页 
1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768  
PBY 301 ... PBY 307  
Silicon-Power Rectifiers  
Silizium-Leistungs-Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
35 A  
13  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Ø3.5  
Type  
Metal case – Metallgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-5  
6 g  
Standard polarity:  
Cathode to stud / am Gewinde  
SW17  
M6  
Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 A/R)  
Standard packaging: bulk  
Standard Lieferform: lose im Karton  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
Typ  
VRRM [V]  
1N 1183  
1N 1184  
1N 1186  
1N 1188  
1N 1190  
1N 3766  
1N 3768  
= PBY 301  
= PBY 302  
= PBY 303  
= PBY 304  
= PBY 305  
= PBY 306  
= PBY 307  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
60  
120  
240  
480  
720  
1000  
1200  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 100C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
IFSM  
35 A 1)  
80 A 1)  
450 A  
500 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
i2t  
Tj  
1000 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 65…+175C  
TS – 65…+175C  
1
)
Valid, if the temp. of the stud is kept to 100C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100C gehalten wird  
1
06.08.2002  

PBY307 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE6002 NTE

功能相似

NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
S34100 MICROSEMI

功能相似

Silicon Power Rectifier

与PBY307相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBY307R DIOTEC

获取价格

暂无描述
PBY321611B-101M-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,
PBY321611B-102M-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,
PBY321611B-121Y-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,
PBY321611B-221M-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,
PBY321611B-221Y-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,
PBY321611B-260M-S YAGEO

获取价格

Ferrite Chip, 1 Function(s), 7A
PBY321611B-260Y-S YAGEO

获取价格

Ferrite Chip, 1 Function(s), 7A
PBY321611B-301T-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,
PBY321611B-320Y-N YAGEO

获取价格

Passive Filter,