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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-203AA | 包装说明： | METAL, DO4, 1 PIN |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.53 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 22 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4511RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 P |
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| 1N4517 | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), |
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| 1N451HM | ASI |
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Diode, |
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| 1N451HMR | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N452 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
|
| 1N4524 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES |
|
| 1N4525 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N4525E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N4525RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N4526 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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