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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N451HM | ASI |
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Diode, |
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| 1N451HMR | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N452 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N4524 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES |
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| 1N4525 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N4525E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N4525RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N4526 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N4526E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N4526R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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