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| 生命周期： | Active | 包装说明： | METAL, DO-5, 1 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4529R | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N4529RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 |
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| 1N453 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N4530 | NJSEMI |
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Silicon Rectifier |
|
| 1N4530R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 |
|
| 1N4531 | SYNSEMI |
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HIGH SPEED SWITCHING DIODES |
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| 1N4531 | EIC |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING DIODES |
|
| 1N4531 | NJSEMI |
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FAST RECTIFIER |
|
| 1N4531 | NXP |
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High-speed diodes |
|
| 1N4531 | SEMTECH |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES |
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