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1N4532

更新时间： 2024-02-18 21:01:43

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EIC		二极管开关
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2页	62K
描述
HIGH SPEED SWITCHING DIODES

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1N4532 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-34
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.36
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4532 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

HIGH SPEED SWITCHING DIODES

1N4531 ~ 1N4532

DO - 34 Glass

FEATURES :

• High switching speed: max. 4 ns

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

• Continuous reverse voltage:max. 75 V

• Repetitive peak reverse voltage:max. 75 V

• Repetitive peak forward current:max. 450 mA.

• Pb / RoHS Free

0.118 (3.0)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

min.

0.017 (0.43)max.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.11g

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie.d)

Parameter

Symbol

V_RRM

V_RM

I_F

Value

Unit

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Continuous Reverse Voltage

Maximum Continuous Forward Current

Maximum Repetitive Peak Forward Current

200

I_FRM

P_D

450

(1)

500

Maximum Power Dissipation

I_FSM

T_J

0.5

Maximum Surge Forward Current at t < 1s, Tj = 25 °C

Maximum Junction Temperature

200

°C

T_S

Storage Temperature Range

-65 to + 200

°C

Electrical Characteristics (Tj = 25°C unless otherwise noted)

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Parameter

Symbol

V_R= 20 V

μA

1N4531

1N4532

V_R= 20 V , Tj = 150 °C

V_R= 50 V

I_R

Reverse Current

100

V_R= 50 V , Tj = 150 °C

I_F= 10 mA

V_F

Forward Voltage

Diode Capacitance

1N4531

1N4532

4.0

2.0

f = 1MHz ; V_R= 0

I_F= 10 mA to I_R= 60mA

R_L= 100 Ω ; Measured

at I_R= 1 mA

Reverse Recovery Time

Trr

1N4531

1N4532

Page 1 of 2

Rev. 03 : December 3, 2008

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