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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 2.3 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 240 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 反向测试电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3671AR-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N3671E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N3671R | DIOTEC |
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| 1N3671RA | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N3671RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N3672 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3672A | INFINEON |
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12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES |
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| 1N3672A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3672A | VISHAY |
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Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A |
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| 1N3672A | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-203AA, 1 PIN |
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