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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N367 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N3670 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3670A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3670A | VISHAY |
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Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A |
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| 1N3670A | INFINEON |
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12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES |
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| 1N3670AR | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N3670ARE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N3670AR-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N3670E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N3670RA | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 22A, 700V V(RRM), DO4-2 |
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