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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | GOLD BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | GERMANIUM | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 80 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3666M2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.07A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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| 1N3666R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3666TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7, |
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| 1N3666X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3668 | ETC |
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silicon diode |
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| 1N367 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N3670 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3670A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3670A | VISHAY |
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Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A |
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| 1N3670A | INFINEON |
获取价格 |
12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES |
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