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1N3663R

更新时间: 2024-11-30 18:59:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 171K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 400V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN

1N3663R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-21
包装说明:DO-21, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.49
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-208AAJESD-30 代码:O-MUPF-P1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N3663R 数据手册

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1N3663R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3660R MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3494R MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 300V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3493R MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN

与1N3663R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3664 MICROSEMI

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Silicon Power Rectifier
1N3664E3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3664R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3664RE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3665 MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier
1N3665R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3666 CENTRAL

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7
1N3666 NJSEMI

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Fast Rectifier
1N3666-1 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium,
1N3666-1X MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium,