5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-21 |
| 包装说明： | DO-21, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.49 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | SOFT RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-208AA | JESD-30 代码： | O-MUPF-P1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 400 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 35 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N3663R | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 400V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3494R | MICROSEMI |
完全替代 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 300V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3493R | MICROSEMI |
完全替代 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3661 | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3661 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3661 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 200V 35A 2-Pin DO-21 |
|
| 1N3661R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3661RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3662 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3662 | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3662 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 300V 35A 2-Pin DO-21 |
|
| 1N3662R | MOTOROLA |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-21 |
|
| 1N3662RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 300V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
