5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DO-21, 1 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | SOFT RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-208AA | JESD-30 代码： | O-MUPF-P1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | PRESS FIT |
| 最大重复峰值反向电压： | 500 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3664R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3664RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3665 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3665R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3666 | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7 |
|
| 1N3666 | NJSEMI |
获取价格 |
Fast Rectifier |
|
| 1N3666-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3666-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3666-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, |
|
| 1N3666-2R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
