5秒后页面跳转
1N3661 PDF预览

1N3661

更新时间: 2024-11-29 22:37:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管软恢复能力电源软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Silicon Power Rectifier

1N3661 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-21
包装说明:O-MUPF-P1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.53
Is Samacsys:N其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:SOFT RECOVERY POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-208AA
JESD-30 代码:O-MUPF-P1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N3661 数据手册

 浏览型号1N3661的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N3661的Datasheet PDF文件第3页 

与1N3661相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3661R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3661RE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3662 MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier
1N3662 MOTOROLA

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-21
1N3662 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 300V 35A 2-Pin DO-21
1N3662R MOTOROLA

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-21
1N3662RE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 300V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
1N3663 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-21
1N3663 MOTOROLA

获取价格

30A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21
1N3663 MICROSEMI

获取价格

Silicon Power Rectifier