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1N3661RE3

更新时间: 2024-12-01 07:59:55
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美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
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3页 170K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 200V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN

1N3661RE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:DO-21, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-208AAJESD-30 代码:O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N3661RE3 数据手册

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