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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPF-P1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.49 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-21 |
| JESD-30 代码： | O-MUPF-P1 | 最大非重复峰值正向电流： | 400 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向电流： | 3000 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3663R | MOTOROLA |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, DO-21 |
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| 1N3663R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 400V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
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| 1N3664 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| 1N3664E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3664R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3664RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
|
| 1N3665 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3665R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN |
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| 1N3666 | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N3666 | NJSEMI |
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Fast Rectifier |
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