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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-5 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.2 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 240 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1201RAE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1201RB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1201RBE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1201RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1202 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N1202 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon |
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| 1N1202 | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 12A 2-Pin DO-4 |
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| 1N1202A | AMERICASEMI |
获取价格 |
DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER |
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| 1N1202A | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, |
|
| 1N1202A | VISHAY |
获取价格 |
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A |
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