1N1201RA

更新时间： 2024-01-11 03:03:25

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威世 - VISHAY		整流二极管
页数	文件大小	规格书
5页	140K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN

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1N1201RA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-4	包装说明：	GLASS METAL, DO203AA(DO4), 1 PIN
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.41	应用：	POWER
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JEDEC-95代码：	DO-203AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	12 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	150 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N1201RA 数据手册

1N1...A, 1N36..A Series

Medium Power

Silicon Rectifier Diodes, 12 A

Vishay High Power Products

FORWARD CONDUCTION

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

180° sinusoidal conduction

VALUES

12 ⁽¹⁾

UNITS

Maximum average forward current

at case temperature

I_F(AV)

150 ⁽¹⁾

°C

Half cycle 50 Hz sine wave

or 6 ms rectangular pulse

230

240 ⁽¹⁾

275

Following any rated load

condition and with rated

V_RRMapplied

Half cycle 60 Hz sine wave

or 5 ms rectangular pulse

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

I_FSM

Half cycle 50 Hz sine wave

or 6 ms rectangular pulse

Following any rated load

condition and with V_RRM

applied following surge = 0

Half cycle 60 Hz sine wave

or 5 ms rectangular pulse

285

With rated V_RRMapplied

following surge,

initial T_J= 200 °C

t = 10 ms

t = 8.3 ms

260

240

Maximum I²t for fusing

I²t

A²s

Maximum I²t for individual

device fusing

With V_RRM= 0 following

surge, initial T_J= 200 °C

t = 10 ms

t = 8.3 ms

370

340

Maximum I²√t for individual

device fusing

I²√t ⁽²⁾

t = 0.1 to 10 ms, V_RRM= 0 following surge

I_F(AV)= 12 A (38 A peak), T_C= 25 °C

3715

A²√s

Maximum forward voltage drop

V_RRM= 50

V_FM

1.35 ⁽¹⁾

3.0 ⁽¹⁾

2.5 ⁽¹⁾

2.25 ⁽¹⁾

2.0 ⁽¹⁾

1.75 ⁽¹⁾

1.5 ⁽¹⁾

1.25 ⁽¹⁾

1.0 ⁽¹⁾

0.9 ⁽¹⁾

0.8 ⁽¹⁾

0.7 ⁽¹⁾

0.6 ⁽¹⁾

V_RRM= 100

V_RRM= 150

V_RRM= 200

V_RRM= 300

V_RRM= 400

V_RRM= 500

V_RRM= 600

V_RRM= 700

V_RRM= 800

V_RRM= 900

V_RRM= 1000

Maximum average

reverse current

(3)

I_R(AV)

Maximum rated I_F(AV)and T_C

Notes

(1)

(2)

(3)

JEDEC registered values

I²t for time t_x= I²√t x √t_x

Maximum peak reverse current (I_RM) under same conditions ≈ 2 x rated I_R(AV)

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 93493

Revision: 24-Jun-08

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1N1201RBE3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2	获取价格
1N1201RE3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2	获取价格
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