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1N1202A

更新时间: 2024-11-24 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Military Silicon Power Rectifier

1N1202A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.19Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N1202A 数据手册

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1N1202A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N1202A VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
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