是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.19 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-203AA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 240 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最大输出电流: | 12 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 最大反向恢复时间: | 5 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1202A/R | SEMIKRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, METAL PACKAGE-1 | |
1N1202AR | AMERICASEMI |
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DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER | |
1N1202AR | MICROSEMI |
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MILITARY SILICON POWER RECTIFIER | |
1N1202AR | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA | |
1N1202AR | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1202ARPBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
1N1202ARPBF | VISHAY |
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暂无描述 | |
1N1202AR-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode | |
1N1202B | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier | |
1N1202B | MOTOROLA |
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12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |