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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-4 | 包装说明： | METAL, DO-4, 1 PIN |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.46 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 25 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1202CRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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| 1N1202RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N1202RA | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
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| 1N1202RA | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 200V 12A 2-Pin DO-4 |
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| 1N1202RAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1202RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1203 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 300V V(RRM) |
|
| 1N1203 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 300V 12A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N1203 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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| 1N1203A | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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