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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 300 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1203BR-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
|
| 1N1203C | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1203-CHIP | SSDI |
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Diode, |
|
| 1N1203CR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
|
| 1N1203CRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
|
| 1N1203R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1203RA | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT, |
|
| 1N1203RA | NJSEMI |
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Diode Switching 300V 12A 2-Pin DO-4 |
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| 1N1203RAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1204 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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