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1N1203BR-PBF

更新时间： 2024-02-27 17:14:07

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DIGITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	785K
描述
Rectifier Diode

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技术参数
数据手册

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1N1203BR-PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-MUPM-D1	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	应用：	POWER
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JEDEC-95代码：	DO-4
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	12 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向电流：	10 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N1203BR-PBF 数据手册

1N1199(A,B)-1N1206(A,B)

SILICON POWER RECTIFIER

High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

FEATURES



Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.

Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

1N1199

1N1200

1N1201

1N1202

1N1203

1N1204

1N1205

1N1206

Peak reverse voltage

V_R

50V

100V

150V

200V

300V

400V

500V

600V

Operating & storage

temperature range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200°C

Maximum thermal resistance

Mounting torque

2.5°C/W junction to case

25-30 inch pounds

Weight

.16 ounces (5.0 grams) typical

Add “R” to part numbers for reverse polarity.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_F(AV)

I_FSM

Value

12 Amps

250 Amps

260 A²s

1.2 Volts

10 µA

Test Condition

Average forward current

T_C= 170°C, half-sine wave, R_θJC= 2.5°C/W

8.3ms, half-sine, T_J= 200°C

Maximum surge current

Maximum I²t for fusing

I²t

Maximum peak forward voltage

Maximum peak reverse current

Maximum recommended operating frequency

V_FM

I_RM

I_FM= 30A: T_J= 25°C*

V_RRM, T_J= 25°C

I_RM

1.0 mA

V_RRM, T_J= 150°C*

10 kHz



Pulse test: pulse width 300µsec. Duty cycle 2%

Rev. 20150317

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N1203C	MICROSEMI	SILICON POWER RECTIFIER	获取价格
1N1203-CHIP	SSDI	Diode,	获取价格
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1N1203CRE3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P	获取价格
1N1203R	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2	获取价格
1N1203RA	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT,	获取价格