生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
应用: | POWER | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
JEDEC-95代码: | DO-4 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
最大非重复峰值正向电流: | 250 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 12 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 300 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N1203BE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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1N1203BR | DIGITRON | Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12; Max TMS Bridge Inpu |
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1N1203BRHR | DIGITRON | Rectifier Diode |
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1N1203BR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
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1N1203C | MICROSEMI | SILICON POWER RECTIFIER |
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1N1203-CHIP | SSDI | Diode, |
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