是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
应用: | POWER | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.2 V |
JEDEC-95代码: | DO-4 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 250 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 12 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 300 V | 最大反向电流: | 10 µA |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N1203BRHR | DIGITRON | Rectifier Diode |
获取价格 |
|
1N1203BR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
获取价格 |
|
1N1203C | MICROSEMI | SILICON POWER RECTIFIER |
获取价格 |
|
1N1203-CHIP | SSDI | Diode, |
获取价格 |
|
1N1203CR | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
获取价格 |
|
1N1203CRE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
获取价格 |