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1N1202A/R

更新时间: 2024-11-25 14:46:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 91K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, METAL PACKAGE-1

1N1202A/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-4包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.15应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N1202A/R 数据手册

 浏览型号1N1202A/R的Datasheet PDF文件第2页 
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673  
PBY 271 ... PBY 277  
Silicon-Power Rectifiers  
Silizium-Leistungs-Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
12 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50...1000 V  
Metal case – Metallgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-4  
5.5 g  
Recommended mounting torque  
Empfohlenes Anzugsdrehmoment  
18 ± 10% lb.in.  
2 ± 10% Nm  
Standard: Cathode to stud / am Gewinde  
Dimensions / Maße in mm  
Index R:  
Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
1N 1199 A = PBY 271  
1N 1200 A = PBY 272  
1N 1202 A = PBY 273  
1N 1204 A = PBY 274  
1N 1206 A = PBY 275  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
60  
120  
240  
480  
720  
1N 3671  
1N 3673  
= PBY 276  
= PBY 277  
1000  
1200  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 100/C  
f > 15 Hz  
TA = 25/C  
TA = 25/C  
TA = 25/C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
IFSM  
i2t  
12 A 1)  
40 A 1)  
220 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
240 A  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
240 A2s  
1
)
Valid, if the temp. of the stud is kept to 100/C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100/C gehalten wird  
54  
01.04.2000  

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