是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.62 |
应用: | POWER | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.2 V |
JEDEC-95代码: | DO-4 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
最大非重复峰值正向电流: | 250 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 10 µA | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1202B | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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1N1202B | MOTOROLA |
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12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
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1N1202B | NJSEMI |
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Diode Switching 200V 12A 2-Pin DO-4 |
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1N1202BHR | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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1N1202BR | DIGITRON |
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Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12; Max TMS Bridge Inpu |
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1N1202C | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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1N1202C | NJSEMI |
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Diode 200V 25A 2-Pin DO-4 |
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1N1202CE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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1N1202-CHIP | SSDI |
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Diode, |
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1N1202CR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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