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1N1202B

更新时间: 2024-02-05 18:40:21
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Silicon Power Rectifier

1N1202B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-5包装说明:ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN
针数:1Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.13
Is Samacsys:N应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.35 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:240 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
Base Number Matches:1

1N1202B 数据手册

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