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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.46 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向电流： | 1000 µA |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1202BHR | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N1202BR | DIGITRON |
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Rectifier, Standard Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12; Max TMS Bridge Inpu |
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| 1N1202C | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1202C | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 200V 25A 2-Pin DO-4 |
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| 1N1202CE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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| 1N1202-CHIP | SSDI |
获取价格 |
Diode, |
|
| 1N1202CR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
|
| 1N1202CRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
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| 1N1202RA | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N1202RA | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
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