是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-203AA |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.44 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.8 V | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 250 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 5 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1202A | AMERICASEMI |
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DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER | |
1N1202A | ASI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
1N1202A | VISHAY |
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Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A | |
1N1202A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier | |
1N1202A | DIOTEC |
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Silicon-Power Rectifiers | |
1N1202A | INFINEON |
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12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES | |
1N1202A | NJSEMI |
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Silicon Avalanche Power Rectifiers | |
1N1202A/R | SEMIKRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, METAL PACKAGE-1 | |
1N1202AR | AMERICASEMI |
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DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER | |
1N1202AR | MICROSEMI |
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MILITARY SILICON POWER RECTIFIER |