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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMN3A01F
ZXMN3A01F PDF预览

ZXMN3A01F

更新时间： 2024-10-14 07:42:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 191K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN3A01F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.5Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMN3A01F 数据手册

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ZXMN3A01F  
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
(BR)DSS  
V
= 30V; R  
= 0.12  
I = 2.0A  
D
DS(ON)  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure  
that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent applications.  
FEATURES  
SOT23  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
SOT23 package  
APPLICATIONS  
•
•
•
DC - DC Converters  
Power Managem ent Functions  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
PINOUT  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMN3A01FTA  
ZXMN3A01FTC  
7”  
8m m  
8m m  
3000 units  
13”  
10000 units  
DEVICE MARKING  
•
7N3  
Top View  
ISSUE 2 - J ULY 2002  
1
1234567

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ZXMN3A01F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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