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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMN3A01FTC
ZXMN3A01FTC PDF预览

ZXMN3A01FTC

更新时间： 2024-01-07 09:37:05
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 191K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN3A01FTC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.08
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.81 A最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：806 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMN3A01FTC 数据手册

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ZXMN3A01F  
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
(BR)DSS  
V
= 30V; R  
= 0.12  
I = 2.0A  
D
DS(ON)  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure  
that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent applications.  
FEATURES  
SOT23  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
SOT23 package  
APPLICATIONS  
•
•
•
DC - DC Converters  
Power Managem ent Functions  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
PINOUT  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMN3A01FTA  
ZXMN3A01FTC  
7”  
8m m  
8m m  
3000 units  
13”  
10000 units  
DEVICE MARKING  
•
7N3  
Top View  
ISSUE 2 - J ULY 2002  
1
1234567

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ZXMN3A01FTC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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